氮化鎵GaN、碳化硅SiC為主要代表的第三代半導體材料。在禁帶寬度、介電常數、導熱率及最高工作溫度等方面性能優越,在新能源汽車、5G通信、數據中心、光伏等領域領頭企業逐步使用。
與Si硅基MOSFET、IGBT相比,SiC MOSFET在開關效率、損耗、尺寸、頻率、體積等指標上優勢明顯。相同規格的MOSFET,SiC
MOSFET具有更低導通電阻,且體積減少10%。相同規格SiC MOSFET和Si
IGBT相比,其能量損失能減少25%,功率轉換效率更高。根據全球頂尖SiC襯底企業試驗數據顯示,采用SiC MOSFET的電動汽車續航距離比Si
IGBT延長了5-10%。然而,因SiC襯底長晶速度和良率問題,導致襯底制備成本偏高,但隨著良率提升以及SiC晶圓由6寸向8寸發展,加速成本降低,其價格甜蜜點已可以被預見,有望實現更多市場滲透。半導體最主要材料硅Si,占有約95%的市場。預計明年,SiC市場滲透率可達到3.75%,GaN市場滲透率可達到1.0%,第三代半導體市場滲透率總計約4.75%。去年全球SiC功率半導體市場規模約10.90億美元(約77.56億人民幣),據相關統計分析報告,預計5年內可增至62.97億美元(約448.08億人民幣)。其中汽車應用將成為SiC主要應用市場,約占整個SiC功率器件75%市場份額。盡管去年全球電動車市場因“缺芯”導致原材料漲價嚴重,但全球新能源車銷量依舊同比增加108%,銷量達到
681 萬輛,國內新能源車銷量同比增長
157.6%,達352萬輛。隨著我國雙碳政策和補貼政策推進,我國今年新能源車銷量有望達560萬輛。預計今年全球新能源車銷量有望達 1069
萬輛,這一數字在2025年預計有望達2625萬輛。新能源車、智能汽車興起為車用功率半導體提供了增量市場。同時充電樁作為新能源汽車的配套設施。2020年中美歐新能源汽車充電需求約為
180億千瓦時,預計到2030年新能源汽車充電需求將高達2710億千瓦時。2020年中美歐充電樁數量約為300萬個,預計到2030年增長至4000萬個。目前充電樁平均成本約3200美元,功率半導體約占充電樁成本20%。積極響應國家發展改革委、工業和信息化部、財政部、海關總署、國家稅務總局五部門聯合發文要求關于做好享受稅收優惠政策的集成電路企業或項目、軟件企業清單制定工作的通知。通過促進提升創新能力,推動半導體制造國產化,推進半導體產業高質量發展。2022深圳國際半導體技術暨應用展將于2022年12月7-9日,在深圳國際會展中心(寶安新館)舉行。由中國通信工業協會、深圳市半導體行業協會、廣東省集成電路行業協會、廣州市半導體行業協會、江蘇省半導體行業協會、浙江省半導體行業協會、成都市集成電路行業協會、深圳市中新材會展有限公司聯合主辦。
(上屆深圳半導體展現場圖)
展示芯片設計、襯底、外延、封裝、測試、器件/模塊、材料以及生產設備等全產業鏈上下游。覆蓋新能源應用、數據中心、5G新應用、AIoT、新型顯示Mini/Micro、消費類電子等熱點應用領域。融合產品實物展示、實操演示,學術峰會交流,供需匹配,產業商機即時透傳等多維度交流手段。致力于打造產、學、研、投、為一體半導體專業交流平臺。深圳半導體展展覽面積50000+平米,同期舉辦同集團旗下由香港線路板協會主辦的2022國際電子電路(深圳)展覽會展覽面積80000+平米;產業上下游聯動,協同效應最大化,合計展出面積超13萬平米。匯聚上海微電子裝備集團、中芯國際、ON安森美、NXP恩智浦、ST意法半導體、山東天岳、能華半導體、鎵未來、氮矽科技、基本半導體、英嘉通半導體、英諾賽科、聚能創芯
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